Biblioteca Instituto Técnico Superior Comunitario

Incluye bibliografía e índice.

Semiconductores, 1/Clasificación de los materiales desde el punto de vista eléctrico, 1/Estructura electrónica de los materiales sólidos, 3/Conductores, semiconductores y aislantes, 6/Semiconductores intrínsecos, 9/Portadores de carga: concepto de hueco, 10/Interpretación del esquema de bandas de energía, 11/Fenómenos de conducción, 13/Fenómenos de excitación de portadores, 14/Semiconductores extrínsecos, 15/Semiconductor de tipo n, 15/Semiconductores de tipo pages 16/Ley de acción de masas, 19/Cuestiones y problemas, 21/Procesos de Transporte de carga en semiconductores, 23/Cálculo de carga en semiconductores, 23/Calculo de la concentración de portadores a la temperatura ambiente, 23/efecto de la temperatura en la concentración de portadores, 24/Distribución en energía de los portadores, 24/Calculo de la concentración de portadores, 30/Concentración de portadores intrínsecos, 32/Determinación del nivel de Femi en semiconductor, 33/Procesos de conducción en semiconductores, 35/Procesos de difusión, 39/Semiconductores con dopaje no uniforme: curvatura de las bandas de energía, 41/Constancia del nivel de Femi, 43/Procesos de inyección de portadores, 44/Tiempo de vida de los portadores, 45/Longitud de difusión, 47/Cuestiones y problemas, 49/Propiedades ópticas de los semiconductores, 51/La luz y el espectro electromagnético, 51/Interacción de la luz con un semiconductor, 53/Interpretación macrocospica, 55/Índice de refracción, 55/Coeficiente de absorción, 55/Parámetros ópticos, 57/Fenómenos de las intercaras, 59/Reflexión y refracción, 59/Interferencias, 61/Estructuras de bandas. Semiconductores de gap directo e indirecto, 63/Luminiscencia, 67/Efectos excitonicos, 68/Efectos extrínsecos, 70/Electroluminiscencia y fotoconductividad, 72/Electroluminiscencia, 73/Fotoconduccion, 73/Cuestiones y problemas, 74/Diodos semiconductores: unión P-N, 77/La unión p-n, 77/Comportamiento de la unión p-n sin polarización externa, 78/La unión p-n polarizada con un voltaje externo, 80/Variación del potencial en la región de carga espacial, 81/Calculo de la corriente a través de la unión p-n, 85/Concentración de portadores cuando no hay voltaje aplicado (V=0), 85/Concentración de portadores con un voltaje externo aplicado (V≠0), 86/Calculo de corriente, 89/Régimen de ruptura, 91/Curva característica intensidad-voltaje del diodo, 92/Capacidad asociada a la unión, 95/Carga acumulada en la región de carga espacial, 95/Carga acumulada en las regiones neutras, 96/Tiempo de conmutación del diodo, 98/Aplicaciones de los diodos semiconductores, 100/El diodo como elemento rectificador y limitador de ondas, 100/Estabilizadores de tensión: diodos Zener, 103/Diodos especiales, 105/Diodos inversos, 105/Diodos túnel, 107/Diodos de capacidad variable: varactores, 109/Diodos p-i-v, 110/Cuestiones y problemas, 111/Contacto metal-semiconductor, 115/Contacto barrera o rectificante, 115/Diagrama de energía antes de formar el contacto: función de trabajo y afinidad electrónica, 116/Formación del contacto, 117/Contacto óhmico, 120/Curva característica I-V de la unión metal-semiconductor, 122/Contacto barrera, 122/Contacto óhmico, 124/Influencia de los estados superficiales, 125/Medidas de la altura de la barrera de contacto, 129/Aplicaciones de los contactos metal-semiconductor, 131/Diodos Schottky, 131/Contactos óhmicos para terminales de salida, 132/Cuestiones y problemas, 133/Nanoestructuras semiconductoras, 135/Introducción: nanoestructuras y semiconductores de baja dimensionalidad, 135/Física de los semiconductores de baja dimensionalidad, 136/Heterouniones moduladas en dopaje, 139/Pozos cuánticos, 141/Superredes, 141/Puntos cuánticos e hilos cuánticos, 143/Propiedades ópticas de nanoestructuras, 149/Conductancias cuánticas, 150/El efecto Hall cuántico, 151/Cuestiones y problemas, 155/Dispositivos fotonicos, 157/Introducción, 157/Dispositivos detectores de luz, 158/Fotoconductores, 159/Fotodiodos, 162/Células solares, 165/Dispositivos emisores de luz, 168/Diodos emisores de luz (LED), 169/Paneles electroluminiscentes, 172/Láseres de diodos, 173/Emisión estimulada, 173/Cavidad resonante, 176/Laser homounion, 177/Laser heterounion, 180/Laser de confinamiento cuántico, 181/Laser de emisión superficial, 183/Cuestiones y problemas, 184/Aplicaciones en fotonica y comunicaciones ópticas, 185/Introducción: optoelectrónica integrada, 185/Guías de andas ópticas, 187/Modos de propagación en las guías de ondas, 187/Dispositivos para el control de la luz, 189/Efectos electroopticos, 190/Efectos electroopticos en nanoestructuras, 192/Efectos no lineales, 194/Comunicaciones ópticas, 195/Fibras ópticas, 195/Sistemas de comunicaciones ópticas, 199/Otras aplicaciones de los dispositivos fotonicos, 200/Aplicaciones de los LED, 201/Aplicaciones de los láseres de diodos, 201/Cuestiones y preguntas, 205/Transistores bipolares, 207/Transistores bipolares de unión: descripción y nomenclatura, 207/Funcionamiento del transistor, 210/Operación en la región activa, 210/Parámetro de diseño del transistor, 212/Parámetro de funcionamiento como amplificador, 213/Curvas características I-V de los transistores, 216/Curvas I-V para la configuración de base común, 216/Curvas I-V para la configuración de emisor común, 218/Efecto de modulación de la anchura de la base, 221/Comportamiento en corriente alterna: circuito equivalente del transistor para señales pequeñas, 224/Circuito equivalente en la configuración de base común, 225/Circuito equivalente en la configuración de emisor común, 227/Comportamiento del transistor frente a pulsos de corriente, 229/Cuestiones y problemas, 231/Estructuras metal-aislante -semiconductor, 233/La estructura MOS ideal, 233/Potencial de superficie, 238/Capacitancia de la estructura MOS ideal, 241/Calculo de la carga acumulada, 241/Capacidad de la estructura MOS ideal: efecto de la tensión, 243/Desviaciones del comportamiento ideal, 246/Condensadores MOS y dispositivos de acoplamiento de carga (CCD), 249/Cuestiones y problemas, 254/Transistores de efecto campo (JFET, ,ESFET Y MOSFET), 255/El transistor de efecto campo unión (JFET), 256/Descripción del transistor, 256/Comportamiento cualitativo del JFET, 257/Calculo de las características intensidad-voltaje del JFET, 260/Circuito equivalente del JFET para señales pequeñas, 264/El transistor de unión metal-semiconductor (MESFET), 266/Curvas características intensidad-voltaje del MOSFET, 270/Circuito equivalente del MOSFET para señales pequeñas, 276/Aspectos tecnológicos del MOSFET, 277/Cuestiones y problemas, 278/Dispositivos amplificadores, analógicos y digitales, 281/Circuitos amplificadores, 281/El transistor bipolar como amplificador, 283/Determinación del punto de funcionamiento del transistor en el circuito amplificador, 286/Circuito de entrada: determinación de la corriente de base, 287/Circuito de salida. Recta de carga estática, 288/Circuito amplificador con una fuente de alimentación única, 289/Acoplamiento de señales, 290/Efecto de la resistencia de carga: recta e carga dinámica, 292/Estabilidad del punto de trabajo. Circuito de autopolarizacion, 294/Amplificadores con transistores de efecto de campo, 195/Amplificadores con transistores JFET, 295/Amplificadores con transistores MOSFET, 296/Aplicación de los circuitos amplificadores en puertas lógicas y circuitos de memoria digitales, 298/Respuesta en frecuencia de los amplificadores, 304/Región de bajas frecuencias, 305/Región de frecuencias altas, 307/Cuestiones y problemas, 310/Transistores de alta frecuencia, 313/Introducción a los positivos de alta frecuencia. Nomenclatura, 313/Transistores de efecto de campo de heteroestructuras (MODFET, HEMT), 315/Transistor bipolar de heterounion (HBT), 318/Efecto túnel resonante, 321/Transistores basados en electrones calientes (HET), 323/Transistores de efecto túnel resonante, 326/Blocaje de Coulomb.

El transistor de un único electrón, 328/Cuestiones y problemas, 334/Tecnología de dispositivos micro y optoelectrónica, 335/Circuito integrados monolíticos, 335/Tecnología planar, 337/Crecimiento del silicio monocristalino, 340/Crecimiento de capas epitaxiales de silicio y de arseniuro de galio, 342/Epitaxia de haces moleculares, 344/Formación de capas finas aislantes, 346/El óxido de silicio, 346/Nitruro de silicio, 350/Otras capas aislantes usadas en microelectrónica, 352/Litografía, 353/Procesos de dopaje de un semiconductor, 355/Difusión de impurezas, 356/Implantación iónica, 357/Metalizaciones, 359/Evaporación térmica, 359/Pulverización catonica, 361/Disposición química en fase vapor, 363/Materiales utilizados en las metalizaciones, 364/Cuestiones y problemas, 365/Análisis de circuitos, 367/Leyes de Kirchhoff, 367/Circuitos con elementos no lineales, 371/Algunas nociones sobre fuentes de alimentación, 373/Cuestiones y problemas, 378/Constantes físicas, 379/Parámetros estructurales y electrónicos de algunos materiales semiconductores, 381.

El contenido del texto, como indica su título, se refiere a los fundamentos físicos de los semiconductores y de los dispositivos electrónicos y optoelectrónicos. Se pone especial énfasis en introducir los conceptos básicos cuya descripción en otros textos de carácter más avanzado generalmente aparece algo oscura. Es importante saber utilizar estos conceptos cuando se trata de entender correctamente el funcionamiento de los modernos dispositivos. El libro no requiere de conocimientos previos en física o química más que los impartidos normalmente en los primeros años de la universidad, pudiendo ser utilizado fácilmente por estudiantes de facultades de ciencias o de diferentes ingenierías, e incluso por titulados de grado medio y técnicos de la industria.