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Semiconductores, 1/Clasificación de los materiales desde el punto de vista eléctrico, 1/Estructura electrónica de los materiales sólidos, 3/Conductores, semiconductores y aislantes, 6/Semiconductores intrínsecos, 9/Portadores de carga: concepto de hueco, 10/Interpretación del esquema de bandas de energía, 11/Fenómenos de conducción, 13/Fenómenos de excitación de portadores, 14/Semiconductores extrínsecos, 15/Semiconductor de tipo n, 15/Semiconductores de tipo pages 16/Ley de acción de masas, 19/Cuestiones y problemas, 21/Procesos de Transporte de carga en semiconductores, 23/Cálculo de carga en semiconductores, 23/Calculo de la concentración de portadores a la temperatura ambiente, 23/efecto de la temperatura en la concentración de portadores, 24/Distribución en energía de los portadores, 24/Calculo de la concentración de portadores, 30/Concentración de portadores intrínsecos, 32/Determinación del nivel de Femi en semiconductor, 33/Procesos de conducción en semiconductores, 35/Procesos de difusión, 39/Semiconductores con dopaje no uniforme: curvatura de las bandas de energía, 41/Constancia del nivel de Femi, 43/Procesos de inyección de portadores, 44/Tiempo de vida de los portadores, 45/Longitud de difusión, 47/Cuestiones y problemas, 49/Propiedades ópticas de los semiconductores, 51/La luz y el espectro electromagnético, 51/Interacción de la luz con un semiconductor, 53/Interpretación macrocospica, 55/Índice de refracción, 55/Coeficiente de absorción, 55/Parámetros ópticos, 57/Fenómenos de las intercaras, 59/Reflexión y refracción, 59/Interferencias, 61/Estructuras de bandas. Semiconductores de gap directo e indirecto, 63/Luminiscencia, 67/Efectos excitonicos, 68/Efectos extrínsecos, 70/Electroluminiscencia y fotoconductividad, 72/Electroluminiscencia, 73/Fotoconduccion, 73/Cuestiones y problemas, 74/Diodos semiconductores: unión P-N, 77/La unión p-n, 77/Comportamiento de la unión p-n sin polarización externa, 78/La unión p-n polarizada con un voltaje externo, 80/Variación del potencial en la región de carga espacial, 81/Calculo de la corriente a través de la unión p-n, 85/Concentración de portadores cuando no hay voltaje aplicado (V=0), 85/Concentración de portadores con un voltaje externo aplicado (V≠0), 86/Calculo de corriente, 89/Régimen de ruptura, 91/Curva característica intensidad-voltaje del diodo, 92/Capacidad asociada a la unión, 95/Carga acumulada en la región de carga espacial, 95/Carga acumulada en las regiones neutras, 96/Tiempo de conmutación del diodo, 98/Aplicaciones de los diodos semiconductores, 100/El diodo como elemento rectificador y limitador de ondas, 100/Estabilizadores de tensión: diodos Zener, 103/Diodos especiales, 105/Diodos inversos, 105/Diodos túnel, 107/Diodos de capacidad variable: varactores, 109/Diodos p-i-v, 110/Cuestiones y problemas, 111/Contacto metal-semiconductor, 115/Contacto barrera o rectificante, 115/Diagrama de energía antes de formar el contacto: función de trabajo y afinidad electrónica, 116/Formación del contacto, 117/Contacto óhmico, 120/Curva característica I-V de la unión metal-semiconductor, 122/Contacto barrera, 122/Contacto óhmico, 124/Influencia de los estados superficiales, 125/Medidas de la altura de la barrera de contacto, 129/Aplicaciones de los contactos metal-semiconductor, 131/Diodos Schottky, 131/Contactos óhmicos para terminales de salida, 132/Cuestiones y problemas, 133/Nanoestructuras semiconductoras, 135/Introducción: nanoestructuras y semiconductores de baja dimensionalidad, 135/Física de los semiconductores de baja dimensionalidad, 136/Heterouniones moduladas en dopaje, 139/Pozos cuánticos, 141/Superredes, 141/Puntos cuánticos e hilos cuánticos, 143/Propiedades ópticas de nanoestructuras, 149/Conductancias cuánticas, 150/El efecto Hall cuántico, 151/Cuestiones y problemas, 155/Dispositivos fotonicos, 157/Introducción, 157/Dispositivos detectores de luz, 158/Fotoconductores, 159/Fotodiodos, 162/Células solares, 165/Dispositivos emisores de luz, 168/Diodos emisores de luz (LED), 169/Paneles electroluminiscentes, 172/Láseres de diodos, 173/Emisión estimulada, 173/Cavidad resonante, 176/Laser homounion, 177/Laser heterounion, 180/Laser de confinamiento cuántico, 181/Laser de emisión superficial, 183/Cuestiones y problemas, 184/Aplicaciones en fotonica y comunicaciones ópticas, 185/Introducción: optoelectrónica integrada, 185/Guías de andas ópticas, 187/Modos de propagación en las guías de ondas, 187/Dispositivos para el control de la luz, 189/Efectos electroopticos, 190/Efectos electroopticos en nanoestructuras, 192/Efectos no lineales, 194/Comunicaciones ópticas, 195/Fibras ópticas, 195/Sistemas de comunicaciones ópticas, 199/Otras aplicaciones de los dispositivos fotonicos, 200/Aplicaciones de los LED, 201/Aplicaciones de los láseres de diodos, 201/Cuestiones y preguntas, 205/Transistores bipolares, 207/Transistores bipolares de unión: descripción y nomenclatura, 207/Funcionamiento del transistor, 210/Operación en la región activa, 210/Parámetro de diseño del transistor, 212/Parámetro de funcionamiento como amplificador, 213/Curvas características I-V de los transistores, 216/Curvas I-V para la configuración de base común, 216/Curvas I-V para la configuración de emisor común, 218/Efecto de modulación de la anchura de la base, 221/Comportamiento en corriente alterna: circuito equivalente del transistor para señales pequeñas, 224/Circuito equivalente en la configuración de base común, 225/Circuito equivalente en la configuración de emisor común, 227/Comportamiento del transistor frente a pulsos de corriente, 229/Cuestiones y problemas, 231/Estructuras metal-aislante -semiconductor, 233/La estructura MOS ideal, 233/Potencial de superficie, 238/Capacitancia de la estructura MOS ideal, 241/Calculo de la carga acumulada, 241/Capacidad de la estructura MOS ideal: efecto de la tensión, 243/Desviaciones del comportamiento ideal, 246/Condensadores MOS y dispositivos de acoplamiento de carga (CCD), 249/Cuestiones y problemas, 254/Transistores de efecto campo (JFET, ,ESFET Y MOSFET), 255/El transistor de efecto campo unión (JFET), 256/Descripción del transistor, 256/Comportamiento cualitativo del JFET, 257/Calculo de las características intensidad-voltaje del JFET, 260/Circuito equivalente del JFET para señales pequeñas, 264/El transistor de unión metal-semiconductor (MESFET), 266/Curvas características intensidad-voltaje del MOSFET, 270/Circuito equivalente del MOSFET para señales pequeñas, 276/Aspectos tecnológicos del MOSFET, 277/Cuestiones y problemas, 278/Dispositivos amplificadores, analógicos y digitales, 281/Circuitos amplificadores, 281/El transistor bipolar como amplificador, 283/Determinación del punto de funcionamiento del transistor en el circuito amplificador, 286/Circuito de entrada: determinación de la corriente de base, 287/Circuito de salida. Recta de carga estática, 288/Circuito amplificador con una fuente de alimentación única, 289/Acoplamiento de señales, 290/Efecto de la resistencia de carga: recta e carga dinámica, 292/Estabilidad del punto de trabajo. Circuito de autopolarizacion, 294/Amplificadores con transistores de efecto de campo, 195/Amplificadores con transistores JFET, 295/Amplificadores con transistores MOSFET, 296/Aplicación de los circuitos amplificadores en puertas lógicas y circuitos de memoria digitales, 298/Respuesta en frecuencia de los amplificadores, 304/Región de bajas frecuencias, 305/Región de frecuencias altas, 307/Cuestiones y problemas, 310/Transistores de alta frecuencia, 313/Introducción a los positivos de alta frecuencia. Nomenclatura, 313/Transistores de efecto de campo de heteroestructuras (MODFET, HEMT), 315/Transistor bipolar de heterounion (HBT), 318/Efecto túnel resonante, 321/Transistores basados en electrones calientes (HET), 323/Transistores de efecto túnel resonante, 326/Blocaje de Coulomb. |
