Biblioteca Instituto Técnico Superior Comunitario

Prefacio, 11 / Estados electrónicos y bandas de energía en semiconductores, 15 / Redes cristalinas I, 15 / Reds cristalinas II, 22 / Índices de Miller, 31 / Estructuras de bandas I, 32 / Estructuras de bandas II, 35 / Estructuras de bandas III, 44 / Calculo de velocidades y masas efectivas, 50 / Transporte de portadores en un campo eléctrico, 51 / Densidad de estados energéticos. Semiconductor tridimensional, 54 / Densidad de estados energéticos. Semiconductor bidimensional, 57 / Estadísticas de semiconductores, 58 / Centro tripolares, 73 / Efecto Hall, 79 / Centros profundos, 83 / Generación y recombinación de portadores, 88 / Recombinación Auger, 96 / Problemas propuestos, 98 / Transportes en semiconductores, 101 / Pseudoniveles de Fermi, 101/ Tiempo de relajación, 106 / Ecuaciones de continuidad I, 110 / Ecuaciones de continuidad II, 119 / Evolución temporal de exceso de portadores, 127 / Ionización por impacto, 129 / Problemas propuestos, 131 / La unión metal-semiconductor, 133 / Relajación entre cargas. Potenciales y corrientes, 133 / Unión metal-semiconductor en circuitos, 143 / Calculo del potencial en diodos metal-semiconductor intrínseco-semiconductor dopado, 149 / Uniones metal-semiconductor óhmicas, 153 / Calculo de la capacidad de transición. Estudio de los perfiles de dopado, 157 / Problemas propuestos, 159 / La unión PN, 161 / Relación entre cargas, potenciales y corrientes, 161 / Modelos de gran señal del diodo, resistencia interna, 174 / Corrientes de generación y recombinación, 178 / Capacidad de la unión PN y cálculo de perfiles de dopado, 181 / Modelos de control de carga, tiempo de almacenamiento, 187 / Problemas propuestos, 190 / El transistor bipolar, 193 / Cargas y corrientes en el transistor bipolar, 193 / Polarización entre transistores PNP, 205 / Modelo de pequeña señal de TB, 209 / Transistor bipolar de deriva, dopado de base no uniforme. Transistores de base gradual, 217 / Rotura en un transistor bipolar por multiplicación en avalancha y PUNCHTHROUGH, 220 / Problemas propuestos, 222 / Estructura metal-aislante-semiconductor, 225 / Relación entre carga y potencial, 225 / Fuerte inversión. Tensión umbral, 239 / Débil inversión. Efecto de los estados de superficie, 242 / Capacidades en la estructura MIS, 244 / Procesos de generación y recombinación en la estructura MIS, 247 / Procesos de formación de carga estática en la puesta y ruptura del aislante de la estructura MIS, 249 / Calculo del potencial en una estructura MIS doble puerta simétrica, 250 / Problemas propuestos, 253 / Transistores en efecto campo, 255 / Transistores de efecto campo de unión I, 255 / Transistor de efecto campo de unión II. Región de saturación, 262 / Transistor MOSFET, 268 / Estudio del efecto cuerpo en transistores MOSFET, 282 / Corriente sub-umbral. MOSFET en inversión débil, 284 / Modulación de la longitud del canal, 286 / Saturación de la velocidad de los portadores en el canal, 292 / Efectos del canal corto y Esttrcho, 296 / Modelo e pequeña señal, 302 / MOSFET en circuitos, 305 / Transistor de MOSFET SOI, 310 / Problemas propuestos, 315 / Dispositivos optoelectricos, 319 / Absorción óptica de un semiconductor, 319 / Fotoconductor, 322 / Celular solares I, 323 / Celular solares II, 326 / Problemas propuestos, 329 / Tablas, 331 / Constantes físicas en las unidades usuales utilizadas en electrónica física y dispositivos electrónicos . Ecuaciones fundamentales, 332 / Símbolos utilizados para representar las distintas magnitudes físicas, 337 / Valor de los parámetros más comunes en semiconductores usuales en la industria microelectrónica (SZE,2007; Muller y Kamins, 1977) A T=300K, 340 / Niveles de energía de las impurezas elementales en silicio (SZE, 2007; Muller y Kamins, 1977), 343 / Funciones de trabajo para metales interesantes en la industria microelectrónica, 344 / Submúltiplos, 344 / Relación de Einstein, 345 / Distintas configuraciones de la unión metal-semiconductor, 345 / Expresiones útiles para el estudio de la unión PN abrupta y lineal, 347 / Expresiones útiles para el estudio del BJT ideal con dopado constante de sustrato, 356 / Notas al concepto y la definición de tensión umbral, 363 / Cálculos usuales, 365 / Métodos de resolución de ecuaciones no lineales, 365 / Teorema de Gauss para el cálculo del campo eléctrico en un semiconductor, 368 / Calculo del campo eléctrico en estructuras donde la densidad de carga depende del potencial eléctrico, 370 / Calculo sencillo de diferencia de potencial en una estructura semiconductora, 374 / Referencias, 377.

Las aplicaciones industriales de los sistemas electrónicos crecen de modo exponencial desde la invención de los primeros dispositivos electrónicos semiconductores debido a su gran capacidad de integración, bajo precio y fiabilidad. Los dispositivos electrónicos son los componentes fundamentales de los circuitos. El objetivo principal de este libro es familiarizar a ingenieros electrónicos y, en general, a profesionales del sector de la electrónica, con el funcionamiento de los dispositivos electrónicos y los circuitos básicos que se fabrican con estos. La carencia de bibliografía relacionada con los dispositivos electrónicos en español, y en particular con aplicaciones prácticas mediante la resolución de ejercicios, hace a este libro único en su género. Su enfoque práctico lo convierte en una herramienta esencial para los estudiantes de asignaturas relacionadas con los dispositivos electrónicos en titulaciones de Ingeniería Electrónica, de Telecomunicaciones e Industrial; y también para alumnos que cursan asignaturas relacionadas con Electrónica Física, Dispositivos Electrónicos y Electrónica General en la Licenciatura de Físicas.