Biblioteca Instituto Técnico Superior Comunitario

Incluye bibliografías

Estados electrónicos y bandas de energía en Semiconductores, 15 / Redes cristalinas I, 15 / Redes cristalinas II, 22 / Índices de miller, 31 / Estructura de bandas I, 32 / Estructura de bandas II, 35 / Estructura de bandas III, 44 / Cálculo de velocidades y masas efectivas, 50 / Transporte de portadores en un campo eléctrico, 51 / Densidad de estados energéticos. Semiconductor Tridimensional, 54 / Densidad de estados energéticos. Semiconductor Bidimensional, 57 / Estadística de semiconductores, 58 / Centros tripolares, 73 / Efecto hall, 79 / Centros profundos, 83 / Generación y recombinación de portadores, 88 / Recombinación auger, 96 / Problemas propuestos, 98 / Transporte en semiconductores, 101 / Pseudoniveles de fermi, 101 / Tiempos de relajación, 106 / Ecuaciones de continuidad I, 110 / Ecuaciones de continuidad II, 119 / Evolución temporal del exceso de portadores, 127 / Ionización por impacto I, 129 / Problemas propuestos, 131 / La unión metal-semiconductor, 133 / Relación entre cargas, potenciales y corrientes, 133 / Unión metal-semiconductor en circuitos, 143 / Cálculo del potencial en diodos metal-semiconductor, 149 / Intrínseco-semiconductor dopado, 153 / Uniones metal-semiconductor óhmicas, 157 / Cálculo de la capacidad de transición. Estudio de los Perfiles de dopado, 157 / Problemas propuestos, 159 / La unión PN, 161 / Relación entre cargas, potenciales y corrientes, 161 / Modelo de gran señal del diodo, resistencia interna, 174 / Corrientes de generación y recombinación, 178 / Capacidad de la unión pn y cálculo de perfiles de dopado, 181 / Modelo de control de carga, tiempo de almacenamiento, 187 / Problemas propuestos, 190 / El transistor bipolar, 193 / Cargas y corrientes en el transistor bipolar, 193 / Polarización de transistores pnp, 205 / Modelo de pequeña señal del tb, 209 / Transistor bipolar de deriva, dopado de base no uniforme.Transistores de base gradual, 217 / Rotura en un transistor bipolar por multiplicación en Avalancha y punchthrough, 220 / Problemas propuestos, 222 / Estructura metal-aislante-semiconductor, 225 / Relación entre carga y potencial, 225 / Fuerte inversión. Tensión umbral, , 239 / Débil inversión. Efecto de los estados de superficie, 242 / Capacidades en la estructura mis, 244 / Procesos de generación y recombinación en la Estructura mis, 247 / Procesos de formación de carga estática en la puerta y Ruptura del aislante de la estructura mis, 249 / Cálculo del potencial en una estructura mis de doble Puerta simétrica, 250 / Problemas propuestos, 253 / Transistores de efecto campo, 255 / Transistores de efecto campo de unión I, 255 / Transistor de efecto campo de unión II. Región deSaturación, 262 / Transistor mosfet, 268 / Estudio del efecto cuerpo en transistores mosfet, 282 / Corriente sub-umbral. Mosfet en inversión débil, 284 / Modulación de la longitud del canal, 286 / Saturación de la velocidad de los portadores en el Canal, 292 / Efectos de canal corto y estrecho, 296 / Modelo de pequeña señal, 302 / Mosfet en circuitos, 305 / Transistor mosfet soi, 310 / Problemas propuestos, 315 / Dispositivos optoelectrónicos, 319 / Absorción óptica de un semiconductor, 319 / Fotoconductor, 322 / Células solares I, 323 / Células solares II, 326 / Problemas propuestos, 329 / Apéndice A. Tablas, 331 / Tabla 1. Constantes físicas en las unidades usuales Utilizadas en electrónica física y dispositivos electrónicos. Ecuaciones fundamentales, 332 / Tabla 2. Símbolos utilizados para representar las distintas. Magnitudes físicas, , 337 / Valor de los parámetros más comunes en Semiconductores usuales en la industria microelectrónica (sze, 2007; muller y kamins, 1977) a t=300k, 340 / Tabla 4.1. Niveles de energía de las impurezas elementales en Silicio (sze, 2007; muller y kamins, 1977) 343 / Tabla 4.2. Funciones trabajo para metales interesantes en la Industria microelectrónica, 344 / Tabla 4.3. Submúltiplos, 344 / Tabla 4.4. Relación de einstein, 345 / Tabla 5. Distintas configuraciones de la unión Metal-semiconductor, 345 / Tabla 6. Expresiones útiles para el estudio de la unión PN Abrupta y lineal, 347 / Tabla 7. Expresiones útiles para el estudio del BJT ideal con Dopado constante en las zonas de emisor, base y colector, 351 / Tabla 8. Expresiones útiles para el estudio del MOSFET ideal Con dopado constante de sustrato, 356 / Notas al concepto y la definición de tensión umbral, 363 / Apéndice B. Cálculos usuales, 365 / B1. Métodos de resolución de ecuaciones no lineales, 365 / B2. Teorema de gauss para el cálculo del campo eléctrico en Un semiconductor, 368 / B3. Cálculo del campo eléctrico en estructuras donde la Densidad de carga depende del potencial eléctrico, 370 / B4. Cálculo sencillo de diferencias de potencial en una Estructura semiconductora, 374 / Referencias, 377 / Índice alfabético, 381.

La electricidad es una de las principales fuentes de energía utilizadas en el mundo actual. Sin ella no existiría ni la iluminación como la conocemos hoy, ni las comunicaciones de radio y televisión, ni tampoco Internet. Alejando Volta, con el invento de su pila, consiguió producir corriente eléctrica de forma continua. Éste es el origen de la electrodinámica. Más tarde Oersted demostró experimentalmente la relación entre electricidad y magnetismo. Es este el momento crucial en que surgen las primeras nociones sobre el electromagnetismo, cuyo desarrollo ha permitido algunos de los mayores avances tecnológicos de la Humanidad. Este libro invita no sólo a conocer los conceptos esenciales de la electricidad desde su manifestación a escala atómica hasta las leyes que rigen el comportamiento de los circuitos, sino también a reflexionar sobre la importancia de la producción y distribución de la electricidad en el desarrollo de los pueblos. Aprenderá, asimismo, a realizar de forma práctica medidas de tensión, resistencia e intensidad con el empleo del polímetro digital.